電子束蒸發鍍膜儀設備用途：

用于制備導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜等，廣泛應用于大專院校、科研機構的科研及小批量生產。

電子束蒸發鍍膜儀技術參數：

結構形式		真空室采用U型箱體前開門，后置抽氣系統
真空室		500×500×600mm2
真空系統配置		復合分子泵、機械泵、閘板閥
極限壓力		≤6. 67×10-5Pa (經烘烤除氣后）；
恢復真空時間		45分鐘可達到6. 67×10-4Pa (系統短時間暴露大氣并充干燥 氮氣后）
電子束 蒸發源	e型電子槍	陽極電壓：6kv、8kv;
	數量（套）	1
	坩堝	水冷式坩堝，四穴設計，每個容量11ml
	功率	0一6 KW可調
電阻蒸發源 (可選）	電壓	5、10V
	功率	電流300A，*大輸出功率3KW
	數量	1套，可切換
	水冷電極	3根，組成2個蒸發舟
工件架類型及尺寸		基片尺寸：可放置4”基片，加熱zui高溫度800℃±1℃ ,基片可連續回轉，轉速5~60轉/分 基片與蒸發源之間距離300~350mm可調，手動控制樣品擋板組件1套
氣路系統		200SCCM質量流量控制器1路
石英晶振膜厚控制儀		監測膜厚顯示范圍：0~99 u 9999A;
設備占地面積	主機	900×800mm2
	電控柜	800×800mm2 (兩個）

免責聲明：本站產品介紹內容(包括產品圖片、產品描述、技術參數等)，僅供參考。可能由于更新不及時，會造成所述內容與實際情況存在一定的差異，請與本公司銷售人員聯系確認。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，本公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您見諒。